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Incentivos do governo e competitividade dos EUA na fabricação de semicondutores

por Antonio Varas, Raj Varadarajan, Jimmy Goodrich e FALAN YINUG
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O Indústria de semicondutores é fundamental para a competitividade econômica e a segurança nacional em uma era de transformação digital, inteligência artificial e comunicações 5G. A indústria de semicondutores dos EUA tem sido o líder global de semicondutores, representando consistentemente 45% a 50% das receitas globais. Mas a participação dos EUA na capacidade de fabricação de semicondutores, que foi de 37% em 1990, caiu para 12%. Além disso, apenas 6% da nova capacidade global de desenvolvimento estará localizada nos EUA. Por outro lado, é projetado que, durante a próxima década, a China adicionará cerca de 40% da nova capacidade e se tornará o maior local de fabricação de semicondutores do mundo.

Essa tendência pode ter repercussões significativas. Com uma pegada de fabricação reduzida e reduzida, a indústria de semicondutores dos EUA seria desafiada a permanecer na vanguarda de novos avanços na tecnologia de processamento de fabricação, arquiteturas e materiais críticos para o desenvolvimento das próximas gerações de semicondutores que farão inteligência artificial ou Computação Quântica possível. Além disso, como 75% da capacidade global já está concentrada no leste da Ásia, a manutenção de capacidades domésticas de fabricação é essencial para garantir que a indústria de semicondutores dos EUA tenha uma cadeia de suprimentos altamente resiliente e geograficamente diversificada. Isso é particularmente crítico para os semicondutores usados ​​nos sistemas de defesa avançados dos EUA. Mas o custo total de dez anos de propriedade de um novo Fab localizado nos EUA é aproximadamente 30% maior que em Taiwan, Coréia do Sul ou Cingapura e 50% maior do que na China-uma enorme lacuna, considerando que o custo de dez anos de um fabulário de última geração varia entre US $ 10 bilhões e US $ 40 bilhões, dependendo do tipo de produto. É prevista que 40% a 70% desse diferencial de custo é atribuído diretamente aos incentivos do governo. De acordo com nossa análise, um programa de subsídios adicionais e incentivos fiscais de US $ 20 bilhões a US $ 50 bilhões para novos FABs de última geração construídos na próxima década seria eficaz para reverter os últimos 30 anos em que a tendência em que o SIMTION NOSSTEM PODERIVOU NA TRIMEIRO QUE TRIMEIRO QUE TRIMEIRO QUE TRIMEIRO QUE TRIMEIRO QUE TRIMEIRO O NOSTO PODERIVO OU TRIMEIRO PODERIVO OU POSTENTEMENTE. Globalmente para atender ao crescimento esperado da demanda do mercado, atingindo uma participação de 14% a 24%, em oposição aos 6% do status quo. (Consulte a exposição.)

The US ranks high in factors that are key when selecting where to locate front-end fabrication facilities (fabs), such as synergy with existing footprints and ecosystems, access to skilled talent, and protection of intellectual property. But the ten-year total cost of ownership of a new fab located in the US is approximately 30% higher than in Taiwan, South Korea, or Singapore, and 50% higher than in China—an enormous gap considering that the ten-year cost of a state-of-the-art fab ranges between $10 billion and $40 billion, depending on the type of product. As much as 40% to 70% of that cost differential is directly attributable to government incentives.

Global manufacturing capacity is forecasted to increase by more than 50% from 2020 to 2030, presenting a market opportunity for the US to attract a higher share of the new future fabs. According to our analysis, a $20 billion to $50 billion federal-government program of additional grants and tax incentives for new state-of-the-art fabs built in the next decade would be effective in reversing the last 30 years’ declining trend in US semiconductor manufacturing.

Depending on the size of the program, the US could potentially double or triple its participation in the new additional semiconductor manufacturing capacity that still needs to be developed globally to meet the expected growth in market demand, achieving a 14% to 24% share, as opposed to just the status quo’s 6%. (See the exhibit.)

Such government investment would mark an inflection point in establishing the US as a highly attractive location for semiconductor manufacturing. For example, we estimate that a $50 billion incentive program would enable the construction of 19 advanced fabs in the US over the next ten years, doubling the number expected if no action is taken and increasing the capacity located in the US by 57%. These new fabs would be commercially viable and have sufficient capacity to cover the demand from the US defense and aerospace industry. In addition, they could create about 70,000 direct jobs, significantly expanding the US talent pool of highly skilled semiconductor manufacturing technicians; foster the development of local high-tech clusters; and contribute to improving the US trade balance in goods.

Together with continued leadership in R&D, strengthening its capabilities in manufacturing would position the US semiconductor industry to lead the way in the new innovation frontiers of materials, architectures, and fabrication processes that will power the critical advancements in computing and electronics for the next decades.

Este relatório não teria sido possível sem as contribuições de nossos colegas do BCG Gaurav Tembey, Charles Yang-Flint, Ray Loa, Andy Zhou, Jesus Guardado, Sohini Kar e Yeonsoo Lee. Antonio Varas

Authors

Alumnus

Antonio Varas

Alumnus

Parceiro sênior Emerito

Raj Varadarajan

Parceiro sênior Emérito

Vice -Presidente, Política Global da Associação da Indústria de Semicondutores

Jimmy Goodrich

Vice -Presidente, Política Global da Associação da Indústria de Semicondutores

Diretor, Estatística da Indústria e Política Econômica da Associação da Indústria de Semicondutores

Falan Yinug

Diretor de Estatística da Indústria e Política Econômica da Associação da Indústria de Semicondutores

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